产品概述
可在7nm、5nm以及更小的节点中保障光刻工艺的稳定性，并支持高分辨和高良率的晶圆制造。
产品优势
1. 采用先进的氮化铝（AlN）陶瓷基底：相比于传统金属加热盘，氮化铝（AlN）具有卓越的导热性（热导率可达 170-230 W/m·K）和极高的绝缘强度。其热膨胀系数与单晶硅极其接近，这使得在 180°C~250°C 的高频热循环中，加热盘与 12 寸晶圆之间的热应力降至最低，有效防止晶圆翘曲。
2. 微纳制程级别的“极致控温”：在先进制程中，温度的微小波动会直接导致光刻胶线宽（CD）失控。本产品在 180°C 时将温差偏差死锁在 ±0.3°C，250°C 时死锁在 ±0.5°C。配合 1.8kW 的精细功率调节，能有效抑制温度过冲，提供绝对平滑的温度曲线。
3. 四圈多分区独立控温与防护：内部划分为四个独立加热圈，每一圈均集成了“独立测温 + 超温检测 + 温控开关 + 气体冷却”的闭环控制闭环。不仅能完美补偿 12 寸晶圆边缘的散失热量，还可通过气体冷却实现快速降温，大幅优化产线工艺循环时间。
产品应用
1. 先进光刻前道软烘 (Track Soft Bake)： 用于 12 寸晶圆涂胶后的溶剂挥发，确保胶膜厚度与密实度的高度一致性。
2. 曝光后烘烤 (PEB - Post Exposure Bake)： 专门针对 DUV/EUV 光刻中的化学放大胶（CAR）。±0.3°C 级别的控温能精准控制酸扩散距离，从而严格锁死关键尺寸的一致性。
3. 显影后硬烘 (Hard Bake)： 提高光刻胶图案的机械强度与后续干法刻蚀/离子注入的抗性。
