全球芯片巨头亮相IEDM 2024：存储技术的最新突破与未来方向

在即将召开的IEDM 2024大会上，全球存储芯片领军企业将展示他们在前沿技术上的创新和研究进展，特别是在存储芯片领域，三星、SK海力士、铠侠及美光等公司都将带来具有突破性的成果。以下是它们将在本次大会上展示的主要亮点：

三星电子的多维技术探索   

作为存储领域的领导者，三星带来了多项颠覆性技术：

1. 汽车级eMRAM解决方案：三星展示了一种14nm嵌入式MRAM (eMRAM) 技术，该技术具备10 pJ/bit的超低写入能耗和1E12次循环的极高耐久性，即便在高温条件下也能稳定运行。

2. 小型化嵌入式MRAM：三星展示了兼容8nm工艺的汽车应用eMRAM技术，实现了高密度存储。此项创新可支持5nm节点技术，为未来超高集成度MRAM的普及奠定了基础。

3. 非晶硫族化合物筛选：三星首次筛选了适合SOM的非晶硫族化合物材料，旨在未来应用于3D X点内存中，提升材料的可靠性和效率。

4. 3D V-NAND的新型电荷陷阱结构：三星在V-NAND中使用BN势垒以优化电荷陷阱结构，显著提高了存储窗口和电荷保持性能，助力3D V-NAND的进一步缩放。

5. 创新OSCTF存储器：三星展示了全新电可擦除OSCTF闪存技术，并引入了独特的编程操作，增强了器件的性能和稳定性。

SK海力士的先进存储方案   

SK海力士也带来了多项前沿技术：

1. 3D铁电NAND：SK海力士展示了用于大规模AI模型的高密度3D铁电NAND (FeNAND)，可以在单个单元内实现超过256级的多级电导状态，大幅提升存储密度与能效。

2. 五级电荷陷阱NAND闪存：通过新的双向阶跃脉冲编程算法，SK海力士成功改进了五级单元NAND闪存（PLC），大幅优化了读取窗口与数据保留能力。

3. 内存加速器(AiM)技术：为应对大型语言模型推理的需求，SK海力士展示了一种基于AiM的推理加速器设备，该设备在高数据速率下可比传统GPU提升多达11.7倍的推理效率。

铠侠的创新方向   

铠侠此次将重点展示其在DRAM与3D-NAND方面的技术突破：

1. 氧化物半导体通道晶体管DRAM：铠侠与南亚科技合作开发了采用InGaZnO通道的OCTRAM技术，显著降低漏电流，为未来的4F2 DRAM架构提供支持。

2. 交叉点MRAM技术：铠侠与SK海力士共同研发了具有64 Gb容量的交叉点1S1M MRAM单元，通过降低寄生电容提高读取稳定性，提升存储单元的可靠性。

3. 水平堆叠3D-NAND架构：铠侠推出的新型水平通道闪存 (HCF) 采用浮栅结构设计，相较传统垂直堆叠架构，HCF在XY缩放中实现了更优的单元效率。

美光的未来展望   

在IEDM 2024上，美光将展示其在NAND和未来Xpoint存储器方面的技术展望。美光计划通过一系列创新工艺和模型，进一步提升NAND和SXM存储器的密度与稳定性，以适应未来的数据需求。