英特尔率先投产High NA EUV光刻机，推动1.8nm及以下制程技术突破

英特尔近日宣布，其已成功将ASML的首批两台高数值孔径（High NA）极紫外（EUV）光刻机投入生产。这一里程碑标志着英特尔在先进制程技术上的重大突破。英特尔高级首席工程师Steve Carson在加利福尼亚州圣何塞的一次会议上透露，利用这两台High NA EUV光刻机，英特尔在一个季度内生产了3万片晶圆，这些晶圆可制造数千个计算芯片。

2024年，英特尔成为全球首家接收并部署ASML High NA EUV光刻机的芯片制造商。这一设备的引入预计将显著提升芯片制造的精度和效率，使其能够生产更小、更快的计算芯片。此举也标志着英特尔战略的重大转变，此前英特尔在采用上一代EUV光刻机方面落后于台积电等竞争对手。

High NA EUV光刻机的单台售价约为3.5亿美元（约合人民币25.4亿元），远高于ASML标准EUV设备的1.8亿至2亿美元。尽管成本高昂，但其在技术上的优势显而易见。Steve Carson表示，初步测试数据显示，新型High NA EUV设备的可靠性约为上一代的两倍，能够以更稳定的速度生产晶圆。

High NA EUV设备通过使用更高精度的光束将特征打印到芯片上，显著减少了曝光次数和处理步骤。Steve Carson指出，新设备仅需一次曝光和“个位数”的处理步骤即可完成早期设备需要三次曝光和约40个处理步骤才能完成的工作，这不仅节省了时间，还降低了生产成本。

英特尔计划利用High NA EUV设备推动其Intel 18A（1.8nm）制造技术的开发，该技术预计将于今年晚些时候与新一代PC芯片一同量产。此外，英特尔还计划将High NA EUV设备全面应用于下一代制造技术Intel 14A（1.4nm）的生产，尽管具体量产日期尚未公布。

此次High NA EUV光刻机的投产不仅是英特尔技术路线图的重要一步，也是全球半导体行业在先进制程领域的一次重大突破。随着High NA EUV技术的逐步成熟，英特尔有望重新夺回在芯片制造领域的领先地位，并为全球半导体产业链的技术进步注入新的动力。