苏州实钧芯微电子有限公司

近日，在惠山区前洲街道智能制造园，龙头企业江丰同芯无锡惠山工厂覆铜陶瓷基板项目正式投产。这个总投资5亿元、年产720万片半导体芯片先进封装用覆铜陶瓷基板项目，将实现对第三代半导体用覆铜陶瓷基板的国产替代。地处无锡西北部素有“中国乡镇之星”之称的前洲街道，以“脱胎换骨”的雄心“二次创业”，从传统乡镇企业集聚转型打造集成电路产业“生态圈”，绘就“芯”产业从“零”起步形成高端企业链式集聚的现实图景...

在AI大模型持续扩容、数据中心带宽需求指数级暴涨的背景下，行业对光子芯片形成高速传输、低功耗、灵活调度三大硬性需求。赛道竞争逻辑已经发生转变，行业比拼不再只关注芯片上层架构设计，底层光学材料的物理性能已然成为决定下一代光通信升级、光子计算算力突破的核心关键。当下主流光子材料各有取舍，尚且没有一个材料能通吃所有场景的全能方案。在众多材料当中，硅光（SiPh）芯片是当前商业化最成熟且已经实现量产...

近日，据路透社援引知情人士消息，国内DRAM龙头长鑫科技开启新一轮产能扩张规划，计划在北京布局第二座存储芯片工厂。公司正积极对接北京经济技术开发区，拟申请不低于6000万元的产业资金扶持，为新厂区落地提供政策与资金配套支持，国产存储产能建设再度提速。本次规划的全新12英寸DRAM晶圆厂选址落位于北京亦庄区域，距离市中心约20公里，也是长鑫存储现有北京DRAM晶圆厂的所在地。区域已具备成熟的半...

时光镌刻征程2022年，厦门大学孙世刚院士倡议召开“高端制造电子电镀论坛（FEPAM）”，四载耕耘，17场大会报告、116场邀请报告、51场口头报告、3场行业对话/研讨，50余所高校及科研院所、百余家企业单位累计近1500人次参会，FEPAM从学术构想成长为高端制造电子电镀领域的标杆性行业论坛。每一届论坛背后，都是行业同仁对“中国芯”的执着，对突破“卡脖子”技术瓶颈的坚定，在一次次思想碰撞、...

芯片制造的四大关键工艺——晶圆、光刻、刻蚀、离子注入——各有分工：晶圆是“地基”，光刻是“画图纸”，刻蚀是“挖结构”，而离子注入，就是给硅片“打针”。这一针打的是什么？为什么要打？怎么打才算准？今天，我们从原理到应用，彻底看懂离子注入这门“原子级配方管理”的工艺。一、为什么要往硅片里“注入东西”？纯净的硅几乎不导电。每个硅原子与4个邻居形成共价键，没有自由电子，纯硅≈绝缘体。要让硅变得“可控...

在半导体制造、化学实验、生物制药等领域，药液的温度控制直接决定了工艺的稳定性和产品的最终良率。长期以来被国外龙头企业所主导。苏州实钧芯微电子有限公司自主研发生产的ETU热交换器，采用高纯氟树脂热交换器与ETU热交换器元件，无金属污染风险，同时实现对含氟化学药液的直接、高精度温度管理。更重要的是该产品控制逻辑完全自主开发，可以实现换热器本体，控制器和小松系统的两两互换，即我司本体可以由小松的控...

当前半导体存储器市场的繁荣主要是人工智能驱动的产能分配问题，而不仅仅是工厂短缺的问题。AI加速器需要大量的高带宽内存（HBM）。HBM与GPU和定制AI芯片配合使用，因为它比普通服务器内存的数据传输速度快得多。随着企业建设AI数据中心，对HBM和先进DDR5内存的需求增长速度超过了制造商扩大供应的速度。内存业务收入增长了5倍，利润增长了10倍。以下是一些关于内存业务的误区和事实：1、只有 H...

据报道，Tower Semiconductor 计划投资约 30 亿美元（约合200亿人民币），并得到日本政府 10 亿美元的拨款，以扩大其在日本的半导体制造规模。该公司希望借此抓住人工智能系统和数据中心连接技术日益增长的需求。这家以色列芯片制造商宣布了一项双轨扩建计划，将大幅提升其300毫米硅光子芯片（SiPho）、硅锗芯片（SiGe）和先进光学封装的产能。随着人工智能系统需要处理器与数据...

在AI大模型向千亿、万亿参数迭代的浪潮之下，算力需求迎来指数级爆发，而数据中心的高速互联瓶颈，正成为制约AI性能突破的关键。传统的铜互连在速度、功耗和传输距离上正逼近物理极限。硅光芯片（Silicon Photonics） ，正是在这一背景下应运而生的关键技术。一、什么是硅光芯片？硅光芯片是一种将光学器件与电子器件集成在硅基芯片上的技术。它利用标准CMOS工艺，将光源、调制器、波导、探测器等...

AI终端、汽车电子、工业控制与通信设备不断提高功能密度，电路板和模组需要在更小空间内容纳更多器件。焊点、胶黏剂、底部填充与涂覆层的尺寸随之缩小，对材料状态和设备重复性提出更高要求。根据近期公开新闻，电子制造产业链仍在围绕高性能终端、智能工厂或产能升级展开投入。主设备自动化程度提高后，温度这样的基础参数更需要稳定可控。点胶、预热、固化、除湿和局部返修看似属于不同工序，却共享一个逻辑：材料只有处...

先进制程推动光刻胶、显影液、底部抗反射材料与相关配套化学品持续迭代。根据近期公开新闻，产业链正在加大先进光刻材料的研发、验证或产能投入。曝光机往往是讨论焦点，但一片晶圆在曝光前后还要经历涂胶、软烘、曝光后烘烤、显影和清洗。任何一个环节的温度漂移，都可能改变膜厚、化学反应与关键尺寸。光刻工艺对温度敏感，是因为材料黏度、溶剂挥发和化学放大反应都与温度有关。胶液进入晶圆时若温度不同，旋涂后的膜厚和...

新能源汽车、充电基础设施、光伏逆变器和工业电源不断提高效率要求，碳化硅功率器件由小规模导入逐步走向更广泛应用。根据近期公开新闻，产业链仍在围绕衬底、外延、器件制造和模块封装推进产能与技术合作。市场讨论常聚焦晶圆尺寸、良率和成本，而在制造现场，气体输送与温度控制同样决定设备能否稳定运行。碳化硅材料耐高温、击穿场强高，但它的加工并不轻松。外延生长温度高，离子注入后的激活退火条件严苛，栅氧与界面质...

AI芯片的功率正在以惊人的速度攀升——从数百瓦到上千瓦，传统风冷早已力不从心，液冷成为了必然选择。而在液冷系统中，有一个环节正悄然成为下一代散热技术的关键：3D打印。但3D打印在数据中心散热里的真正落点，不是整台CDU（冷量分配单元），也不是粗大的管路——而是最靠近芯片的那一小块复杂流体件。一、为什么是芯片旁？CDU、泵、阀、传感器、大管路——这些部件用传统机加工就能做，成本低、效率高，没必...

AI服务器持续迭代，带动高带宽存储器、先进逻辑芯片和高密度封装同步升级。与普通消费电子的短期波动不同，这一轮需求更重视算力密度、能效以及稳定交付，晶圆厂因而不只要增加设备数量，还要重新审视每一道工艺的重复性。根据近期公开新闻，相关企业正围绕HBM、先进制程和配套产能推进新的投资或合作。产能扩张是显眼的部分，供气、控温、洁净和材料兼容等基础环节，才是决定新产线能否快速爬坡的细节。在沉积、刻蚀、...

导语：AI服务器、HBM和先进存储持续扩产，产业链关注点正从单一设备采购延伸到硅片、特种气体、化学品和关键温控部件。美光最新宣布对美国300mm硅片供应链进行战略投资，为观察晶圆厂扩产中的高纯气体热管理提供了一个现实切口。美光把目光投向300mm硅片供应保障美光科技7月9日宣布，将在美国半导体生态系统投入最高30亿美元，其中包括向环球晶圆位于得克萨斯州谢尔曼的300mm原始硅片工厂提供5亿美...

在AI算力爆发的今天，“光进铜退”已成为数据中心互联的必然趋势。但光究竟是如何钻进芯片的？硅光子技术又是如何将电信号转化为光信号，再变回电信号的？今天，我们用一张图，拆解硅光子收发引擎的光、电、封装与测试全路径。一、什么是硅光子？硅光子技术是一种在硅晶圆上集成光器件的技术。它利用标准CMOS工艺，将激光器、调制器、波导、探测器等光器件集成在同一块硅芯片上，实现光信号的产生、传输、调制和探测全...

SEMI近期披露的市场数据给晶圆厂设备链条释放了一个清晰信号：2026年，全球300mm存储晶圆厂设备投资预计将首次越过500亿美元门槛，市场引用数据约为520亿美元；同时，SEMI的WWSEMS统计显示，2026年第一季度全球半导体设备账单达到365.5亿美元，同比增加14%。这组数字背后，不只是AI芯片算力需求继续上行，也包括HBM、高性能DRAM和NAND产线对稳定制程条件的重新加码。...

什么是快速热处理（RTP）？RTP（Rapid Thermal Processing，快速热处理）是半导体制造中的关键工艺，能在几秒到几十秒内把晶圆从室温加热到1000°C以上，再快速冷却。与传统炉管的对比：对比项传统扩散炉RTP升温速率几°C/分钟10–250°C/秒达到目标温度时间数十分钟到小时几秒到几十秒加热对象整个炉腔+大批晶圆单片晶圆热预算大极小RTP升温速率比传统炉管快几个数量级...

一颗MLCC，上千层陶瓷膜与金属电极交替堆叠，每层厚度仅1微米。对齐、共烧，一次成型——相当于在一粒米上刻出一部《红楼梦》。MLCC完整流程有十几道工序，但真正拉开技术差距的，集中在这几步：陶瓷粉体、流延、印刷叠层、共烧。每一步都在挑战物理极限。一、陶瓷粉体：一切性能的起点MLCC的核心材料是钛酸钡（BaTiO₃） 陶瓷粉体。它就像芯片的"心脏"——粉体的纯度、粒径、晶体结构，直接决定了电容...

近期半导体行业的一个信号值得关注：SEMI在6月底发布的300mm晶圆厂设备投资展望提到，受AI服务器、HBM和高性能存储需求拉动，2026年全球300mm存储晶圆厂设备支出预计将首次超过500亿美元。对晶圆厂来说，扩产不只是采购曝光、刻蚀、沉积设备，清洗、湿法蚀刻、化学液循环和超纯水温控也会同步进入更高强度的运行周期。AI芯片扩产，湿法工艺压力被放大AI芯片和先进存储对良率的要求更细，湿法...